In forming a metal oxide dielectric film of perovskite type for capacitor,
an array of lower electrodes and a crystallization-assisting conductive
film are simultaneously formed. The crystallization-assisting conductive
film is formed outside the lower electrode array, at a distance of about
10 .mu.m or less from the outermost lower electrodes, in a width of 20
.mu.m or more. Then, a metal oxide dielectric film is formed thereon.
Since the crystallization-assisting conductive film assists the
crystallization of metal oxide dielectric film, capacitor elements which
are superior in properties and reliability even when the capacitor
elements are produced in a fine structure is obtained.
Bij het vormen van een diëlektrische film van het metaaloxyde van perovskite type voor condensator, worden een serie van lagere elektroden en een kristallisatie-bijwonende geleidende film gelijktijdig gevormd. De kristallisatie-bijwonende geleidende film wordt gevormd buiten de lagere elektrodenserie, bij een afstand van ongeveer mu.m 10 of minder van de buitenste lagere elektroden, in een breedte van 20 mu.m of meer. Dan, wordt een diëlektrische film van het metaaloxyde daarop gevormd. Aangezien de kristallisatie-bijwonende geleidende film de kristallisatie van de diëlektrische film van het metaaloxyde, condensatorelementen bijstaat die in eigenschappen superieur zijn en de betrouwbaarheid zelfs wanneer de condensatorelementen in een fijne structuur worden veroorzaakt wordt verkregen.
