Data retention of a ferroelectric transistor is extended by injecting holes
or electrons into the ferroelectric transistor when power is removed. The
ferroelectric FET has a mechanism to trap charge in a buffer dielectric
layer or in the ferroelectric layer sandwiched between a top electrode and
a silicon substrate. The state of polarization is detected before power is
removed from the ferroelectric FET. Charge is injected into the
ferroelectric FET to produce a first threshold voltage when a first
polarization state is determined before power is removed. Charge is
removed from the ferroelectric FET to produce a second threshold voltage
when a second polarization state is determined before power is removed.
When the ferroelectric FET is powered up again, the state of charge
injected is determined. The ferroelectric FET is then polarized to
correspond to a first threshold voltage when the charge state
corresponding to the first threshold is determined. The ferroelectric FET
is polarized to correspond to a second threshold voltage when a charge
state corresponding to the second threshold is determined.
La conservation de données d'un transistor ferroelectric est prolongée en injectant des trous ou des électrons dans le transistor ferroelectric quand la puissance est coupée. Le FET ferroelectric a un mécanisme pour emprisonner la charge dans une couche diélectrique d'amortisseur ou dans la couche ferroelectric serrée entre une électrode supérieure et un substrat de silicium. L'état de polarisation est détecté avant que la puissance soit coupée du FET ferroelectric. La charge est injectée dans le FET ferroelectric pour produire une première tension de seuil quand un premier état de polarisation est déterminé avant que la puissance soit coupée. La charge est enlevée du FET ferroelectric pour produire une deuxième tension de seuil quand un deuxième état de polarisation est déterminé avant que la puissance soit coupée. Quand le FET ferroelectric est actionné vers le haut d'encore, l'état de charge injecté est déterminé. Le FET ferroelectric est alors polarisé pour correspondre à une première tension de seuil quand l'état de charge correspondant au premier seuil est déterminé. Le FET ferroelectric est polarisé pour correspondre à une deuxième tension de seuil quand un état de charge correspondant au deuxième seuil est déterminé.
