A method if provided for improving a photolithographic patterning process
in a dual damascene process by forming a resinous plug in a via opening to
prevent out diffusion of nitrogen containing species from a low-k IMD
layer in subsequent lithographic patterning and RIE etching processes to
form a trench opening formed substantially over the via opening.
Un metodo se se per migliorare un processo di modello photolithographic in un processo damascene doppio formando un resinoso inserisce la a via l'apertura da evitare verso l'esterno diffusione di azoto che contiene la specie uno strato basso-K di IMD nei processi litografici successivi acquaforte di RIE e di modello per formare un'eccedenza sostanzialmente formata apertura della trincea via l'apertura.
