The present invention relates to a memory array comprising a substrate and
a plurality of bitlines having contacts and a plurality of wordlines
intersecting the bitlines. A protective spacer is used to separate the
bitline contacts from the wordlines adjacent to the bitline contacts to
prevent damage caused during the formation of the bitline contacts. The
present invention also relates to a method of forming the memory array.
Die anwesende Erfindung bezieht auf einer Gedächtnisreihe, die ein Substrat enthalten und einer Mehrzahl der bitlines, die Kontakte haben und einer Mehrzahl der wordlines, welche die bitlines schneiden. Eine schützende Distanzscheibe wird benutzt, um die bitline Kontakte von den wordlines neben den bitline Kontakten zu trennen, um die Beschädigung zu verhindern, die während der Anordnung der bitline Kontakte verursacht wird. Die anwesende Erfindung bezieht auch auf einer Methode der Formung der Gedächtnisreihe.
