A semiconductor laser, for example a Vertical Cavity Surface Emitting Laser
(VCSEL), includes one or more photoactive layers to improve the
fundamental mode operation of lasing. The photoactive layer(s) provides
on-axis current channeling, resulting from the selective drop in
resistance around the center of the photoactive layer(s) due to
photo-excitation, and counteracts"hole burning" (i.e. carrier depletion)
of the center axis region of the VCSEL cylinder. The photoactive layer(s)
act as a variable resistivity screen(s) whose radial aperture is
controlled by the light itself. The absorption of a small fraction of the
light intensity suffices for significant on-axis current peaking with
minimum efficiency loss and optical mode distortion. Thus, the VCSEL has
optically pumped photoactive layers that induce significant,
self-regulated, on-axis current channeling and fundamental mode stability
at high operation current, improving lasing operation. Further, the VCSEL
photoactive layers may be fabricated using molecular beam epitaxy and thus
do not require wafer post processing.
Um laser do semicondutor, para o exemplo um laser emitindo-se de superfície da cavidade vertical (VCSEL), inclui um ou mais camada photoactive para melhorar a operação fundamental da modalidade de lasing. O layer(s) photoactive fornece canalizar atual da em-linha central, resultando da gota seletiva na resistência em torno do centro do layer(s) photoactive devido à foto-excitação, e o counteracts"hole que queima-se" (isto é depletion do portador) da região center da linha central do cilindro de VCSEL. O ato photoactive do layer(s) como um screen(s) variável do resistivity cuja a abertura radial seja controlada pela luz própria. O absorption de uma fração pequena da intensidade clara basta para peaking atual da em-linha central significativa com perda mínima da eficiência e distorção ótica da modalidade. Assim, o VCSEL bombeou ótica as camadas photoactive que induzem significativo, self-regulado, canalizar da corrente da em-linha central e a estabilidade fundamental da modalidade na corrente elevada da operação, melhorando a operação lasing. Mais mais, as camadas photoactive de VCSEL podem ser fabricadas usando o epitaxy de feixe molecular e assim não requerem processar do borne do wafer.
