A semiconductor device and a fabrication method thereof in which the
semiconductor device includes capacitors having a metal/insulator/metal
(MIM) structure are disclosed. The method includes forming an interlayer
insulating film on a structure of a semiconductor substrate that exposes
lower wiring and a lower insulating film; selectively etching the
interlayer insulating film to form a first electrode opening that exposes
the lower wiring; forming a first electrode in the first electrode opening
such that the first electrode opening is filled; selectively etching the
interlayer insulating film at a region of the same adjacent to the first
electrode to thereby form a second electrode opening; forming a dielectric
layer along inner walls that define the second electrode opening; forming
a second electrode on the dielectric layer in such a manner to fill the
second electrode opening; and forming upper wiring on at least a portion
of the second electrode.
Ein Halbleiterelement und eine Herstellung Methode davon in welchem das Halbleiterelement die Kondensatoren miteinschließt, die eine metal/insulator/metal haben (MIM) Struktur, werden freigegeben. Die Methode schließt die Formung eines isolierenden Filmes der Zwischenlage auf einer Struktur eines Halbleitersubstrates ein, das unterere Verdrahtung und einen untereren isolierenden Film herausstellt; den isolierenden Film der Zwischenlage selektiv, ätzend, um eine erste Elektrode Öffnung zu bilden, die die unterere Verdrahtung herausstellt; Formung einer ersten Elektrode in der ersten Elektrode, die so öffnet, daß die erste Elektrode Öffnung gefüllt wird; den isolierenden Film der Zwischenlage an einer Region vomselben neben der ersten Elektrode selektiv ätzen, um eine zweite Elektrode Öffnung dadurch zu bilden; Formung eine dielektrische Schicht entlang inneren Wänden, die die zweite Elektrode Öffnung definieren; Formung einer zweiten Elektrode auf der dielektrischen Schicht in solch einer Weise, um die zweite Elektrode Öffnung zu füllen; und obere Verdrahtung auf mindestens einem Teil der zweiten Elektrode bildend.
