An n-type AlAs/n-type Al.sub.0.5 Ga.sub.0.5 As DBR layer and a p-type
(Al.sub.0.2 Ga.sub.0.8).sub.0.5 In.sub.0.5 P/p-type Al.sub.0.5 In.sub.0.5
P DBR layer are formed on an n-type GaAs substrate at specified intervals
so that a reflection spectrum is centered at 650 nm and the resonance
wavelength becomes 650 nm. A quantum well active layer (light-emitting
layer) is formed so that the light emission peak wavelength becomes 650 nm
in the belly position of the standing wave generated in a resonator
constructed of both the DBR layers. A grating pattern is formed on the
surface of a p-type Al.sub.0.5 Ga.sub.0.5 As light diffusion layer that
serves as a light-emitting surface surrounded by a p-type electrode. By
thus roughening the light-emitting surface, light emitted from the
light-emitting layer is diffused in various directions, reducing the
radiation angle dependency of the emission light wavelength.
Un n-tipo AlAs/n-type Al.sub.0.5 Ga.sub.0.5 come strato di DBR e un p-tipo (strato di Al.sub.0.2 Ga.sub.0.8).sub.0.5 In.sub.0.5 P/p-type Al.sub.0.5 In.sub.0.5 la P DBR sono formati su un n-tipo substrato di GaAs a intervalli specificati in moda da concentrare uno spettro di riflessione a 650 nm e la lunghezza d'onda di risonanza si transformi in in 650 nm. Uno strato attivo del pozzo di quantum (strato luminescente) è formato in modo che la lunghezza d'onda chiara del picco dell'emissione si transformi in in 650 nm nella posizione della pancia dell'onda diritta generata in un risonatore costruito con entrambi strati di DBR. Un modello stridente è formato sulla superficie di un p-tipo Al.sub.0.5 Ga.sub.0.5 come strato chiaro di diffusione che serve da superficie luminescente circondata da un p-tipo elettrodo. Così irruvidendo la superficie luminescente, chiaro emesso dallo strato luminescente è diffuso in vari sensi, riducenti la dipendenza di angolo di radiazione della lunghezza d'onda della luce dell'emissione.
