In a semiconductor device including bottom-gate-type thin-film transistors,
each of which includes a gate electrode provided on an insulating surface
of a substrate, a semiconductor layer provided on the gate electrode via a
gate insulating layer, a pair of doped semiconductor layers adjacent to
the semiconductor layer, and source and drain electrodes consisting of a
pair of conductors adjacent to corresponding ones of the pair of doped
semiconductor layers, the thickness of portions of the semiconductor layer
below the source and drain electrodes is smaller than the thickness of a
portion of the semiconductor layer at a gap portion between the source and
drain electrodes.
В прибора на полупроводниках включая транзисторы дн-строб-tipa тонкопленочные, каждое из которых вклюает электрод строба обеспечил на изолируя поверхности субстрата, слое полупроводника обеспеченном на электроде строба через слой строба изолируя, пару данных допинг слоев полупроводника за слоем полупроводника, и электроды источника и стока consist of пара проводников за соответствуя одной из пары данных допинг слоев полупроводника, толщины частей слоя полупроводника под электродами источника и стока более малы чем толщина части слоя полупроводника на части зазора между источником и электродами стока.
