There are provided a substrate of a semiconductor device and a fabrication
method thereof which allow to suppress impurity from turning around from a
glass or quartz substrate in fabrication steps of a TFT. An insulating
film is deposited so as to surround the glass substrate by means of
reduced pressure thermal CVD. It allows to suppress the impurity from
infiltrating from the glass substrate to an active region of the TFT in
the later process.
Se proporciona un substrato de un dispositivo de semiconductor y de un método de la fabricación de eso que permitan para suprimir la impureza de dar vuelta alrededor de un substrato del cristal o del cuarzo en pasos de la fabricación de un TFT. Una película aislador se deposita para rodear el substrato de cristal por medio del CVD termal reducido de la presión. Permite para suprimir la impureza de la infiltración del substrato de cristal a una región activa del TFT en el proceso más último.
