In an ion implantation apparatus according to the present invention, ions
are extracted from an ion source with the aid of extraction electrodes.
The ions thus extracted are analyzed in mass by means of a mass analysis
magnet apparatus and a mass analysis slit, so that the required ions are
implanted in a substrate. Magnets for generating cusp magnetic fields are
serially disposed along an ion beam line extending from the front part to
the rear part of the mass analysis magnet apparatus.
Σε μια ιονική συσκευή εμφύτευσης σύμφωνα με την παρούσα εφεύρεση, τα ιόντα εξάγονται από μια ιονική πηγή με την ενίσχυση των ηλεκτροδίων εξαγωγής. Τα ιόντα που εξάγονται έτσι αναλύονται στη μάζα με τη βοήθεια μιας συσκευής μαγνητών μαζικής ανάλυσης και μιας σχισμής μαζικής ανάλυσης, έτσι ώστε τα απαραίτητα ιόντα εμφυτεύονται σε ένα υπόστρωμα. Οι μαγνήτες για την παραγωγή των ακιδωτών μαγνητικών πεδίων διατίθενται σειριακά σύμφωνα με μια γραμμή ιονικών ακτίνων που επεκτείνεται από το μπροστινό μέρος στο οπίσθιο μέρος των συσκευών μαγνητών μαζικής ανάλυσης.
