A capacitor is formed utilizing a plasma deposited capacitor dielectric
wherein the plasma deposition is a two-component reaction comprising a
silicon donor, which is non-carbon containing and non-oxygenated, and an
organic precursor, which is non-silicon containing and non-oxygenated. The
plasma deposition produces a capacitor dielectric that can exhibit a low
dielectric constant and, in selected depositions, a response to
photo-oxidation induced by exposure to radiated electromagnetic energy in
the presence of oxygen. Photo-oxidation of selected depositions can be
used to alter the dielectric constant of the capacitor dielectric after
the capacitor has been fabricated. The capacitor may be used in precision
filter applications.
Ein Kondensator wird einen Plasma niedergelegten Kondensatornichtleiter, worin die Plasmaabsetzung eine Zweibestandteil Reaktion, die ist einen Silikonspender enthält, der der enthaltene und nicht-oxydierte Nichtcarbon ist, und einen organischen Vorläufer verwendend gebildet, der das enthaltene und nicht-oxydierte Nichtsilikon ist. Die Plasmaabsetzung produziert einen Kondensatornichtleiter, der eine niedrige Dielektrizitätskonstante und, in vorgewählten Absetzungen, eine Antwort zur Photooxydierung ausstellen kann, die durch Aussetzung zu ausgestrahlter elektromagnetischer Energie in Anwesenheit des Sauerstoffes verursacht wird. Photooxydierung der vorgewählten Absetzungen kann verwendet werden, um die Dielektrizitätskonstante des Kondensatornichtleiters zu ändern, nachdem der Kondensator fabriziert worden ist. Der Kondensator kann in den Präzision Filteranwendungen benutzt werden.
