A method for manufacturing integrated circuits uses an atmospheric magnetic
mirror plasma etching apparatus to thin a semiconductor wafer. In addition
the process may, while thinning, both segregate and expose through-die
vias for an integrated circuit chip. To segregate, the wafer may be
partially diced. Then, the wafer may be tape laminated. Next, the backside
of the wafer may be etched. As the backside material is removed, the
partial dicing and through-die vias may be exposed. As such, the method
reduced handling steps and increases yield. Furthermore, the method may be
used in association with wafer level processing and flip chip with bump
manufacturing.
Eine Methode für die Produktion der integrierter Schaltungen benutzt einen atmosphärischen magnetischen Spiegelplasma-Radierung Apparat, um ein Halbleiterplättchen zu verdünnen. Zusätzlich kann der Prozeß, beim Verdünnen, Segregat und Exposé durch-sterben vias für einen Schaltungspan. Um zu trennen, kann die Oblate teilweise gewürfelt werden. Dann kann die Oblate das lamellierte Klebeband sein. Zunächst kann die Rückseite der Oblate geätzt werden. Während das Rückseite Material entfernt wird, durch-sterben das teilweise Würfeln und vias kann herausgestellt werden. Als solcher, verringerte sich die Methode, Schritte anzufassen und Zunahmen erbringen. Ausserdem kann die Methode in Verbindung mit waagerecht ausgerichtetem Verarbeitung und Schlagspan der Oblate mit Stoßherstellung verwendet werden.
