There are included a semiconductor substrate provided with a desirable
element region, an electrode pad formed to come in contact with a surface
of the semiconductor substrate or a wiring layer provided on the surface
of the semiconductor substrate, a bonding pad formed on a surface of the
electrode pad through an intermediate layer, and a resin insulating film
for covering a peripheral edge of the bonding pad such that an interface
of the bonding pad and the intermediate layer is not exposed to a side
wall.
Включены субстрату полупроводника обеспеченному с желательной зоной элемента, пусковой площадке электрода сформированной для того чтобы come in contact with поверхность субстрата полупроводника или слоя проводки обеспеченных на поверхности субстрата полупроводника, пусковой площадке bonding сформированной на поверхности пусковой площадки электрода через промежуточный слой, и пленке смолаы изолируя для покрывать периферийный край пусковой площадки bonding такие что поверхность стыка пусковой площадки bonding и промежуточного слоя не подвергается действию к бортовой стене.
