A semiconductor device superior in reliability and suitable for
microminiaturization is provided. An organic SOG film is formed on a
silicon oxide film. Boron ions are implanted into the organic SOG film. By
introducing boron ions into the organic SOG film, the organic components
in the film are decomposed. Also, the moisture and hydroxyl group included
in the film are reduced. After a metal interconnection is embedded in a
modified SOG film by the Damascene method, a modified SOG film is formed
thereon. Then, contact holes are formed. After a contact hole
interconnection is embedded in the contact holes, a modified SOG film and
an upper metal interconnection are formed by the Damascene method.
Um superior do dispositivo de semicondutor na confiabilidade e um apropriado para o microminiaturization são fornecidos. Uma película orgânica de SOG é dada forma em uma película do óxido do silicone. Os íons do boro implanted na película orgânica de SOG. Introduzindo íons do boro na película orgânica de SOG, os componentes orgânicos na película decomposed. Também, a umidade e o grupo do hydroxyl incluídos na película são reduzidos. Depois que uma interconexão do metal é encaixada em uma película modificada de SOG pelo método damascene, uma película modificada de SOG está dada forma thereon. Então, os furos do contato são dados forma. Depois que uma interconexão do furo do contato é encaixada nos furos do contato, uma película modificada de SOG e uma interconexão superior do metal estão dadas forma pelo método damascene.
