A MOS transistor, an insulating film and a connecting plug are formed on a
silicon substrate, and a surface of the insulating film undergoes a CMP
polishing, followed by formation of reflectors. Thereafter, a SiN film is
formed as a cover film on the reflectors. Next, SOG is coated onto the
cover film, and gaps between the reflectors are buried by the SOG.
Subsequently, an SOG film undergoes a CMP polishing using the cover film
as a stopper, and a surface thereof is flattened.
Un transistore del MOS, una pellicola isolante e una spina di collegamento sono formati su un substrato del silicone e una superficie della pellicola isolante subisce una lucidatura del CMP, seguita da formazione dei riflettori. Da allora in poi, una pellicola di siN è formata come pellicola della copertura sui riflettori. Dopo, SOG è rivestito sulla pellicola della copertura e le lacune fra i riflettori sono sepolte dal SOG. Successivamente, una pellicola di SOG subisce un CMP che lucida usando la pellicola della copertura come tappo e una superficie di ciò è appiattita.
