The present invention is a method of forming thick films of crystalline
YBa.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.7 that includes forming a precursor film
comprising barium fluoride (BaF.sub.2), yttrium (Y) and copper (Cu). The
precursor film is heat-treated at a temperature above 500.degree. C. in
the presence of oxygen, nitrogen and water vapor at sub-atmospheric
pressure to form a crystalline structure. The crystalline structure is
then annealed at about 500.degree. C. in the presence of oxygen to form
the crystalline YBa.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.7 film. The YBa.sub.2 Cu.sub.3
O.sub.7 film formed by this method has a resistivity of from about 100 to
about 600 .mu.Ohm-cm at room temperature and a critical current density
measured at 77 K in a magnetic field of 1 Tesla of about
1.0.times.10.sup.5 Ampere per square centimeter (0.1 MA/cm.sup.2) or
greater.
Η παρούσα εφεύρεση είναι μια μέθοδος τις παχιές ταινίες κρυστάλλινου YBa.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.7 που περιλαμβάνει τη διαμόρφωση μιας ταινίας προδρόμων περιλαμβάνοντας το φθορίδιο βάριου (BaF.sub.2), yttrium (Y) και το χαλκό (Cu). Η ταινία προδρόμων είναι υποβαλλόμενη σε θερμοθεραπεία σε μια θερμοκρασία επάνω από 500.degree. Γ. παρουσία του οξυγόνου, του αζώτου και του υδρατμού στην sub-atmospheric πίεση να διαμορφωθεί μια κρυστάλλινη δομή. Η κρυστάλλινη δομή ανοπτείται έπειτα για 500.degree. Γ. παρουσία του οξυγόνου για να διαμορφώσει την κρυστάλλινη ταινία YBa.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.7. Η ταινία YBa.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.7 που διαμορφώνεται μ' αυτό τον τρόπο έχει μια ειδική αντίσταση από περίπου 100 σε περίπου 600 μu.Οχμ-εκατ. στη θερμοκρασία δωματίου και μια κρίσιμη πυκνότητα ρεύματος που μετριέται σε 77 Κ σε ένα μαγνητικό πεδίο 1 Tesla περίπου του αμπέρ 1.0.times.10.sup.5 ανά τετραγωνικό εκατοστόμετρο (0,1 μΑ/cm.sup.2) ή μεγαλύτερη.
