A boron phosphide-based semiconductor device including a substrate having
thereon an oxygen-containing boron phosphide-based semiconductor layer
having boron and phosphorus as constituent elements and oxygen, and a
production process therefor.
Ein Bor Phosphid-gründete Halbleiterelement einschließlich ein Substrat, das darauf dafür eine Sauerstoff-enthaltene Bor Phosphid-gegründete Halbleiterhat, schicht Bor und Phosphor als konstituierende Elemente und Sauerstoff zu haben, und einen Produktion Prozeß.
