Semiconductor laser diodes, particularly high power ridge waveguide laser
diodes, are often used in opto-electronics as so-called pump laser diodes
for fiber amplifiers in optical communication lines. To provide the
desired high power output and stability of such a laser diode and avoid
degradation during use, the present invention concerns an improved design
of such a device, the improvement in particular consisting of novel design
of the ridge waveguide of the laser. Essentially the novel design consists
in a segmented ridge waveguide having at least two straight segments, i.e.
segments with constant, but different cross sections or widths, and at
least one flared segment connecting the two different straight segments. A
further improvement can be achieved by combining this approach with a
laser diode design termed "unpumped end sections" and described in
copending U.S. patent application Ser. No. 09/852,994, entitled "High
Power Semiconductor Laser Diode". Preferable for an advantageous
manufacturing process is a segmented ridge waveguide design with three
straight segments, at least two of them differing in cross section or
width, and two flared segments connecting the differing straight segments.
This latter design results in a wafer pattern of identical and identically
oriented laser diode structures, thus allowing the use of standard
manufacturing processes.
Os diodos do laser do semicondutor, particularmente diodos do laser do waveguide do cume do poder elevado, são usados frequentemente no opto-electronics como diodos so-called do laser da bomba para amplificadores da fibra em linhas de comunicação ótica. Para fornecer a saída de poder elevado e a estabilidade desejadas de tal diodo do laser e para evitar a degradação durante o uso, a invenção atual concerne um projeto melhorado de tal dispositivo, a melhoria no projeto consistindo particular da novela do waveguide do cume do laser. Essencialmente o projeto da novela consiste em um waveguide segmentado do cume que tem ao menos dois segmentos retos, isto é. os segmentos com constante, mas as seções transversais ou as larguras diferentes, e ao menos uma alargaram-se segmento que conecta os dois segmentos retos diferentes. Uma melhoria mais adicional pode ser conseguida combinando esta aproximação com um projeto do diodo do laser denominado "unpumped seções da extremidade" e descrito na aplicação de patente copending Ser de ESTADOS UNIDOS. O no. 09/852.994. intitulou "o diodo do laser do semicondutor do poder elevado". Preferível para um processo de manufacturing vantajoso é um projeto segmentado do waveguide do cume com três segmentos retos, ao menos dois deles que diferem na seção transversal ou na largura, e dois segmentos alargados que conectam os segmentos retos diferindo. Resultados deste últimos projeto em um teste padrão do wafer de estruturas idênticas e idêntica orientadas do diodo do laser, assim permitindo o uso de processos de manufacturing padrão.
