A semiconductor laser device (10) includes a resonant cavity (12) in which
a quantum well active layer (11) made up of barrier layers of gallium
nitride and well layers of indium gallium nitride is vertically sandwiched
between at least light guide layers of n- and p-type aluminum gallium
nitride. An end facet reflective film (13) is formed on a reflective end
facet (10b) opposite to a light-emitting end facet (10a) in the resonant
cavity (12). The end facet reflective film (13) has a structure including
a plurality of unit reflective films (130), each of which is made up of a
low-refractive-index film (13a) of silicon dioxide and a
high-refractive-index film (13b) of niobium oxide. The low-and
high-refractive-index films are deposited in this order on the end facet
of the resonant cavity (12).
Un dispositif de laser de semi-conducteur (10) inclut une cavité résonnante (12) en laquelle une couche active de puits de quantum (11) a composé des couches-barrière de nitrure de gallium et des couches bonnes de la nitrure de gallium d'indium est verticalement serrées entre au moins les couches minces de guide de n et le p-type nitrure en aluminium de gallium. Un film r3fléchissant de facette de fin (13) est formé sur une facette r3fléchissante de fin (10b) vis-à-vis une facette luminescente de fin (10a) dans la cavité résonnante (12). Le film r3fléchissant de facette de fin (13) a une structure comprenant une pluralité des films r3fléchissants d'unité (130), dont chacun se compose d'un film d'bas-réfringent-index (13a) de bioxyde de silicium et d'un film d'haut-réfringent-index (13b) d'oxyde de niobium. Bas-et des films d'haut-réfringent-index sont déposés dans cet ordre sur la facette de fin de la cavité résonnante (12).
