In connection with an optical-electronic semiconductor device, improved
photoluminescent output is provided at wavelengths beyond 1.3 m. According
to one aspect, Sb is used in, e.g. the active region of a GaInNAs-based
quantum well laser diode with GaNAs-based barrier layers. Adding a small
amount of Sb increases photoluminescence of the device while increasing
the wavelength. Sb is used both as a surfactant, improving N and In
incorporation into the active region, and an alloy constituent for
red-shifting the wavelength of the device. In example implementations,
both edge emitting laser devices and vertical cavity surface emitting
laser (VCSEL) devices can be grown with room temperature emission from 1.3
to 1.6 .mu.m.
Σχετικά με μια οπτικός-ηλεκτρονική συσκευή ημιαγωγών, η βελτιωμένη φωτοφωταυγής παραγωγή παρέχεται στα μήκη κύματος πέρα από 1,3 μ. Σύμφωνα με μια πτυχή, το Sb χρησιμοποιείται μέσα, π.χ. η ενεργός περιοχή μιας γαΗνΝΑς-βασισμένης κβαντικής καλά διόδου λέιζερ με τα γαΝΑς-βασισμένα στρώματα εμποδίων. Η προσθήκη ενός μικρού ποσού του Sb αυξάνει το photoluminescence της συσκευής αυξάνοντας το μήκος κύματος. Το Sb χρησιμοποιείται και ως μέσο επιπολής, που βελτιώνει το ν και στην ενσωμάτωση στην ενεργό περιοχή, και ένα συστατικό κραμάτων για την κόκκινος-μετατόπιση του μήκους κύματος της συσκευής. Στις εφαρμογές παραδείγματος, και η άκρη που εκπέμπει τις συσκευές λέιζερ και την κάθετη επιφάνεια κοιλοτήτων που εκπέμπουν τις συσκευές λέιζερ (VCSEL) μπορεί να αυξηθεί με την εκπομπή θερμοκρασίας δωματίου από 1,3 έως το μu.μ. 1,6
