A system and methodology is provided for proper reading of multi-bit memory
cells in a memory device. A first reference cell and a second reference
cell is employed to determine an average dynamic reference value. The
average dynamic reference value is determined by reading a programmed bit
of the first reference cell and reading an unprogrammed or erased bit of a
second reference cell to determine an average dynamic reference value. The
average dynamic reference value can be utilized to determine whether data
cells are in a programmed state or in an unprogrammed state.
Un sistema e una metodologia è fornito per lettura adeguata delle cellule di memoria della multi-punta in un dispositivo di memoria. Una prima cellula di riferimento e una seconda cellula di riferimento è impiegata per determinare un valore di riferimento dinamico medio. Il valore di riferimento dinamico medio è determinato leggendo una punta programmata della prima cellula di riferimento e leggere unprogrammed o cancellato la punta di una seconda cellula di riferimento per determinare un valore di riferimento dinamico medio. Il valore di riferimento dinamico medio può essere utilizzato per determinare se le cellule di dati siano in programmato dichiarino o in unprogrammed dichiara.
