A method and apparatus for providing in-situ monitoring of the removal of
materials in localized regions on a semiconductor wafer or substrate
during chemical mechanical polishing (CMP) is provided. In particular, the
method and apparatus of the present invention provides for detecting the
differences in reflectance between the different materials within certain
localized regions or zones on the surface of the wafer. The differences in
reflectance are used to indicate the rate or progression of material
removal in each of the certain localized zones.
Μια μέθοδος και μια συσκευή για τον επιτόπιο έλεγχο της αφαίρεσης των υλικών στις εντοπισμένες περιοχές σε μια γκοφρέτα ή ένα υπόστρωμα ημιαγωγών κατά τη διάρκεια της χημικής μηχανικής στίλβωσης (CMP) παρέχονται. Ειδικότερα, η μέθοδος και η συσκευή της παρούσας εφεύρεσης προβλέπουν την ανίχνευση των διαφορών στο συντελεστή ανάκλασης μεταξύ των διαφορετικών υλικών μέσα σε ορισμένες εντοπισμένες περιοχές ή των ζωνών στην επιφάνεια της γκοφρέτας. Οι διαφορές στο συντελεστή ανάκλασης χρησιμοποιούνται για να δείξουν το ποσοστό ή την πρόοδο της υλικής αφαίρεσης σε κάθε μια από τις ορισμένες εντοπισμένες ζώνες.
