An active pixel sensor for producing images from electron-hole producing
radiation includes a crystalline semiconductor substrate having an array
of electrically conductive diffusion regions, an interlayer dielectric
(ILD) layer formed over the crystalline semiconductor substrate and
comprising an array of contact electrodes, and an interconnect structure
formed over the ILD layer, wherein the interconnect structure includes at
least one layer comprising an array of conductive vias. An array of
patterned metal pads is formed over the interconnect structure and are
electrically connected to an array of charge collecting pixel electrodes.
A radiation absorbing structure includes a photoconductive N-I-B-P
photodiode layer formed over the interconnect structure, and a surface
electrode layer establishes an electrical field across the radiation
absorbing structure and between the surface electrode layer and each of
the array of charge collecting pixel electrodes. An array measurement
circuit measures the charge collected and outputs pixel data defining an
image.
Une sonde active de Pixel pour produire des images à partir du électron-trou produisant le rayonnement inclut un substrat cristallin de semi-conducteur ayant un choix de régions électriquement conductrices de diffusion, une couche diélectrique de couche intercalaire (ILD) formée au-dessus du substrat cristallin de semi-conducteur et comportant une rangée des électrodes de contact, et une structure d'interconnexion formée au-dessus de la couche d'ILD, où la structure d'interconnexion inclut au moins une couche comportant une rangée des vias conducteurs. Une rangée de garnitures modelées en métal est formée au-dessus de la structure d'interconnexion et est électriquement reliée à un choix de charge rassemblant des électrodes de Pixel. Une structure absorbante de rayonnement inclut une couche photoconductrice de photodiode de N-I-B-P formée au-dessus de la structure d'interconnexion, et une couche extérieure d'électrode établit un champ électrique à travers la structure absorbante de rayonnement et entre la couche extérieure d'électrode et chacune du choix de la charge rassemblant des électrodes de Pixel. Un circuit de mesure de rangée mesure la charge rassemblée et produit des données de Pixel définissant une image.
