A passive mechanism suppresses injection, into any active guard regions
interposed between the edge of a photodiode array chip and the outer
photodiode pixels or into the outer pixels themselves, of minority carrier
current generated in the physically disrupted region at the edge of the
semiconductor die created by cleaving, sawing or otherwise separating the
chip from the remainder of the wafer on which the die was fabricated. A
thin metallic layer covers all or part of the edge region, thereby
creating a Schottky barrier. This barrier generates a depletion region in
the adjacent semiconductor material. The depletion region inherently
creates an energy band distribution which preferentially accelerates
minority carriers generated or near the metal-semiconductor interface
towards the metal, thereby suppressing collection of these carriers by any
active regions of the guard structure or by the photodiode pixels.
Een passief mechanisme onderdrukt injectie, in om het even welke actieve wachtgebieden die tussen de rand van een spaander van de fotodiodeserie en de buitenfotodiodepixel worden ingevoegd of in de buitenpixel zelf, van de stroom van de minderheidsdrager die in het fysisch onderbroken gebied bij de rand van de halfgeleidermatrijs wordt geproduceerd die door het splijten van, anders de spaander te zagen of te scheiden van de rest van het wafeltje wordt gecreeerd waarop de matrijs werd vervaardigd. Een dunne metaallaag behandelt alles of een gedeelte van het randgebied, daardoor creërend een barrière Schottky. Deze barrière produceert een uitputtingsgebied in het aangrenzende halfgeleidermateriaal. Het uitputtingsgebied creëert inherent een distributie van de energieband die geproduceerde minderheids bij voorkeur dragers versnelt of de metaal-halfgeleider interface naar het metaal nadert, daardoor onderdrukkend inzameling van deze dragers door om het even welke actieve gebieden van de wachtstructuur of door de fotodiodepixel.
