The temperature of a semiconductor wafer (160) is measured while undergoing
processing in a plasma (168) environment. At least two pyrometers (162,
164) receive radiation from, respectively, the semiconductor wafer and the
plasma in a plasma process chamber. The first pyrometer receives radiation
from either the front or rear surface of the wafer, and the second
pyrometer receives radiation from the plasma. Both pyrometers may be
sensitive to the same radiation wavelength. A controller (170) receives
signals from the first and second pyrometers and calculates a corrected
wafer emission, which is employed in the Planck Equation to calculate the
wafer temperature. Alternatively, both pyrometers are positioned beneath
the wafer with the first pyrometer sensitive to a first wavelength where
the wafer is substantially opaque to plasma radiation, and the second
pyrometer is sensitive to a wavelength where the wafer is substantially
transparent to plasma radiation.
La temperatura di una cialda a semiconduttore (160) è misurata mentre subisce l'elaborazione nei 168) ambienti del plasma (. Almeno due pirometri (162, 164) ricevono la radiazione da, rispettivamente, la cialda a semiconduttore ed il plasma in un alloggiamento di processo del plasma. Il primo pirometro riceve la radiazione dalla superficie anteriore o posteriore della cialda ed il secondo pirometro riceve la radiazione dal plasma. Entrambi i pirometri possono essere sensibili alla stessa lunghezza d'onda di radiazione. Un regolatore (170) riceve i segnali dai primi e secondi pirometri e calcola un'emissione corretta della cialda, che è impiegata nell'equazione di Planck per calcolare la temperatura della cialda. Alternativamente, entrambi i pirometri sono posizionati sotto la cialda con il primo pirometro sensibile ad una prima lunghezza d'onda dove la cialda è sostanzialmente opaca a radiazione del plasma ed il secondo pirometro è sensibile ad una lunghezza d'onda dove la cialda è sostanzialmente trasparente a radiazione del plasma.
