Disclosed are a multi-chip power amplifier comprising a plurality chips
with each chip being a transistor amplifier, and a housing in which all of
the semiconductor chips are mounted. A plurality of input leads extend
into the housing and a plurality of output leads extend from the housing.
A plurality of first matching networks couple a semiconductor chip to an
input lead and a plurality of second matching networks couple each
semiconductor chip to an output lead whereby each chip has its own input
lead and output lead. By providing all amplifier chips within a single
housing with matching networks within the housing coupling the chips to
the input and output leads, manufacturing cost is reduced and the overall
package footprint on a mounting substrate is reduced. Further, the close
proximity of the chips within the housing reduces phase differences among
signals in the semiconductor chips.
Se divulgan un amplificador de energía de la multi-viruta que abarca virutas de una pluralidad con cada viruta que es un amplificador del transistor, y una cubierta en la cual todas las virutas del semiconductor se montan. Una pluralidad de plomos de la entrada extiende en la cubierta y una pluralidad de plomos de la salida extiende de la cubierta. Una pluralidad de primeras redes que emparejan junta una viruta del semiconductor a un plomo de la entrada y una pluralidad de segundas redes que emparejan junta cada viruta del semiconductor a un plomo de la salida por el que cada viruta tenga su propio plomo de la entrada y plomo de la salida. Proporcionando todo el amplificador salta dentro de una sola cubierta con las redes que emparejan dentro de la cubierta que junta las virutas a los plomos de la entrada y de la salida, se reduce el coste de fabricación y la huella total del paquete en un substrato del montaje se reduce. Además, la proximidad cercana de las virutas dentro de la cubierta reduce diferencias de fase entre señales en las virutas del semiconductor.
