Critical dimension statistical process control in semiconductor fabrication

   
   

The current invention provides a method for analyzing process variations that occur during integrated circuit fabrication. Critical dimension data is collected for each layer of the integrated circuit fabrication process for a period of time and a shift indicator that indicates variation in the critical dimension data for each layer of the integrated circuit fabrication process is calculated. A machine drift significance indicator is also calculated for each machine used in each layer of the integrated circuit fabrication process, and a maximum shift of mean value for each layer of the integrated circuit fabrication process is defined. The shift indicator, the maximum shift of mean value and the machine drift significance indicator are used to determine at least one likely cause of variation in critical dimension for each layer of the integrated circuit fabrication process.

A invenção atual fornece um método analisando as variações process que ocorrem durante a fabricação do circuito integrado. Os dados críticos da dimensão são coletados para cada camada do processo da fabricação do circuito integrado por um período de tempo e um indicador do deslocamento que indique variação nos dados críticos da dimensão para cada camada do processo da fabricação do circuito integrado é calculado. Um indicador do significado da tração da máquina é calculado também para cada máquina usada em cada camada do processo da fabricação do circuito integrado, e um deslocamento máximo do valor médio para cada camada do processo da fabricação do circuito integrado é definido. O indicador do deslocamento, o deslocamento máximo do valor médio e o indicador do significado da tração da máquina são usados determinar ao menos uma causa provável da variação na dimensão crítica para cada camada do processo da fabricação do circuito integrado.

 
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