The method of polishing a copper layer of a substrate is capable of
improving a stock removal rate, etc. The method comprises the steps of:
supplying a substrate onto an polishing pad of an polishing plate with a
copper layer facing the polishing pad; pressing the substrate onto the
polishing pad, with a backing pad, by a press head; relatively rotating
the press head with respect to the polishing plate, with supplying
polishing slurry onto the polishing pad. The backing pad is made of a
material whose Asker C hardness is 75-95 and whose compressibility is 10%
or less. The polishing slurry includes a chelating agent for chelating
copper, an etching agent for etching the surface of copper layer, an
oxidizing agent for oxidizing the surface of copper layer, and water.
Die Methode des Polierens einer kupfernen Schicht eines Substrates ist zum Verbessern einer auf lager Abbaurate, des usw. fähig. Die Methode enthält die Schritte von: ein Substrat auf eine Polierauflage einer Polierplatte mit einem Kupfer liefernd, überlagern Sie das Gegenüberstellen der Polierauflage; das Substrat auf die Polierauflage, mit einer Schutzträgerauflage, durch einen Pressekopf betätigen; den Pressekopf in Bezug auf die Polierplatte, mit liefernder Polierschmiere auf die Polierauflage verhältnismäßig, drehend. Die Schutzträgerauflage wird von einem Material gebildet dessen Asker C Härte 75-95 ist und dessen Verdichtbarkeit 10% oder kleiner ist. Die Polierschmiere schließt ein Cheliermittel für chelierendes Kupfer, ein Radierung Mittel für das Ätzen der Oberfläche der kupfernen Schicht, ein oxidierendes Mittel für das Oxidieren der Oberfläche der kupfernen Schicht und Wasser mit ein.
