A method of production and a method of polishing a semiconductor device and
a polishing apparatus, capable of easily flattening an initial unevenness
of a metal film, excellent in efficiency of removal of an excess metal
film, and capable of suppressing damage to an interlayer insulation film
below the metal film when flattening the metal film by polishing, the
polishing method including the steps of interposing an electrolytic
solution including a chelating agent between a cathode member and the
copper film, applying a voltage between the cathode member used as a
cathode and the copper film used as an anode to oxidize the surface of the
copper film and forming a chelate film of the oxidized copper, selectively
removing a projecting portion of the chelate film corresponding to the
shape of the copper film to expose the projecting portion of the copper
film at its surface, and repeating the above chelate film forming step and
the above chelate film removing step until the projecting portion of the
copper film is flattened.
Μια μέθοδος παραγωγής και μια μέθοδος μια συσκευή ημιαγωγών και μια γυαλίζοντας τη συσκευή, ικανή εύκολα αρχικό unevenness μιας ταινίας μετάλλων, άριστη της αποδοτικότητας της αφαίρεσης μιας υπερβολικής ταινίας μετάλλων, και ικανή τη ζημία σε μια ταινία μόνωσης ενδιάμεσων στρωμάτων κάτω από την ταινία μετάλλων κατά εξομάλυνση της ταινίας μετάλλων με τη στίλβωση, τη μέθοδο στίλβωσης συμπεριλαμβανομένων των βημάτων της παρεμβολής μιας ηλεκτρολυτικής λύσης συμπεριλαμβανομένου ενός σχηματίζοντας χηλική ένωση πράκτορα μεταξύ ενός μέλους καθόδων και της ταινίας χαλκού, που εφαρμόζουν μια τάση μεταξύ του μέλους καθόδων που χρησιμοποιούνται ως κάθοδος και της ταινίας χαλκού που χρησιμοποιείται ως άνοδος για να οξειδώσει την επιφάνεια της ταινίας χαλκού και που διαμορφώνουν μια ταινία χηλικών ενώσεων οξειδωμένη αππλυηνγ α βολταγε ψετωεεν τχε θατχοδε μεμψερ uσεδ ας α θατχοδε ανδ τχε θοππερ φηλμ uσεδ ας αν ανοδε το οξηδηζε τχε σuρφαθε οφ τχε θοππερ φηλμ ανδ φορμηνγ α θχελατε φηλμ οφ τχε οξηδηζεδ θοππερ, σελεθτηβελυ ρεμοβηνγ α η μερίδα προβολής της ταινίας χηλικών ενώσεων που αντιστοιχεί στη μορφή της ταινίας χαλκού για να εκθέσει τη μερίδα προβολής της ταινίας χαλκού στην επιφάνειά της, και επανάληψη της ανωτέρω ταινίας χηλικών ενώσεων που διαμορφώνουν το βήμα και της ανωτέρω ταινίας χηλικών ενώσεων που αφαιρεί το βήμα μέχρι τη μερίδα προβολής της ταινίας χαλκού ισιώνεται.
