There are provided a gate electrode formed on a semiconductor substrate of
one conductivity type via a gate insulating film, ion-implantation
controlling films formed on both side surfaces of the gate electrode and
having a space between the gate electrode and an upper surface of the
semiconductor substrate, first and second impurity diffusion regions of
opposite conductivity type formed in the semiconductor substrate on both
sides of the gate electrode and serving as source/drain, a channel region
of one conductivity type formed below the gate electrode between the first
and second impurity diffusion regions of opposite conductivity type, and
pocket regions of one conductivity type connected to end portions of the
impurity diffusion regions of opposite conductivity type in the
semiconductor substrate below the gate electrode and having an impurity
concentration of one conductivity type higher than the channel region.
É fornecido um elétrodo de porta dado forma em uma carcaça do semicondutor de um tipo através de uma película isolando da porta, películas controlando do conductivity do ion-implantation dadas forma em ambas as superfícies laterais do elétrodo e de ter de porta um espaço entre o elétrodo de porta e uma superfície superior da carcaça do semicondutor, primeiramente e segundas regiões da difusão da impureza do tipo oposto do conductivity dado forma na carcaça do semicondutor em ambos os lados do elétrodo e de servir de porta como source/drain, uma região da canaleta de um tipo do conductivity dado forma abaixo do elétrodo de porta entre as primeiras e segundas regiões da difusão da impureza do tipo oposto do conductivity, e regiões do bolso de um tipo do conductivity conectado às parcelas de extremidade das regiões da difusão da impureza do oposto o conductivity datilografa dentro a carcaça do semicondutor abaixo do elétrodo e de ter de porta uma concentração de impureza de um tipo do conductivity mais altamente do que a região da canaleta.
