The present invention provides a method for fabricating a semiconductor
device capable of suppressing stresses concentrated at bottom corners of a
gate electrode as simultaneously as preventing an oxidation of a metal
included in a gate electrode. The inventive method includes the steps of:
forming a gate oxide layer on a substrate; forming a gate electrode
including at least one metal layer on the gate oxide layer; forming an
oxide layer on the substrate including the gate electrode at a temperature
lower than oxidation temperature of the metal layer; and etching
selectively the densified oxide layer so as to form an oxide spacer on the
lateral sides of the gate electrode.
La actual invención proporciona un método para fabricar un dispositivo de semiconductor capaz de suprimir en la parte inferior esquinas tan simultáneamente concentradas las tensiones de un electrodo de puerta como previniendo una oxidación de un metal incluido en un electrodo de puerta. El método inventivo incluye los pasos de: formando un óxido de la puerta acode en un substrato; formando un electrodo de puerta incluyendo por lo menos un metal acode en la capa del óxido de la puerta; formando un óxido acode en el substrato incluyendo el electrodo de puerta en una temperatura más bajo que la temperatura de la oxidación de la capa del metal; y la aguafuerte densified selectivamente capa del óxido para formar un espaciador del óxido en los lados laterales del electrodo de puerta.
