Process for forming salicide on active areas of MOS transistors, each MOS
transistor comprising a gate and respective source and drain regions, the
source and drain regions each comprising a first lightly doped sub-region
adjacent the gate and a second highly doped sub-region spaced apart from
the gate. The salicide is formed selectively at least over the second
highly doped sub-regions of the source and drain regions of the MOS
transistors, and not over the first lightly doped sub-region.
Le processus pour former le salicide sur des secteurs actifs des transistors de MOS, de chaque transistor de MOS comportant une porte et des régions respectives de source et de drain, de la source et des régions chacune de drain comportant une première secondaire-région légèrement enduite adjacente la porte et une seconde a de haut enduit la secondaire-région espacée indépendamment de la porte. Le salicide est sélectivement formé au moins excédent les secondaire-régions de haut enduites de seconde de la source et des régions de drain des transistors de MOS, et pas excédent la première secondaire-région légèrement enduite.
