In a semiconductor device in which a switching element for allowing a
current to flow to a load and a circuit for driving the switching element
are formed on a common substrate, the switching element is formed of a
DMOS transistor, and the circuit for driving the switching element
includes an MOS transistor having a characteristic different from that of
the DMOS transistor.
In een halfgeleiderapparaat waarin een omschakelingselement voor het toestaan van een stroom om aan een lading en een kring te stromen voor het drijven van het omschakelingselement op een gemeenschappelijk substraat wordt gevormd, wordt het omschakelingselement gevormd van een transistor DMOS, en de kring voor het drijven van het omschakelingselement omvat een MOS transistor die een kenmerk verschillend van dat van de transistor DMOS heeft.
