A semiconductor device includes a capacitor having a lower electrode (102),
a high-dielectric-constant or ferroelectric thin film (103), and an upper
electrode (104) which are subsequently stacked. An impurity having an
action of suppressing the catalytic activity of a metal or a conductive
oxide constituting the electrode is added to the upper electrode (104).
The addition of the impurity is effective to prevent inconveniences such
as a reduction in capacitance, an insulation failure, and the peeling of
the electrode due to hydrogen heat-treatment performed after formation of
the upper electrode (104), and to improve the long-term reliability.
Ein Halbleiterelement schließt einen Kondensator mit ein, der eine unterere Elektrode (102) hat, ein hoch-Nichtleiter-konstanter oder ferroelectric Dünnfilm (103) und eine obere Elektrode (104) die nachher gestapelt werden. Eine Verunreinigung, die eine Tätigkeit des Unterdrückens der katalytischen Tätigkeit eines Metalls oder des leitenden Oxids festsetzen die Elektrode hat, wird der oberen Elektrode (104) hinzugefügt. Die Hinzufügung der Verunreinigung ist wirkungsvoll, Unannehmlichkeiten wie eine Verringerung der Kapazitanz, eines Isolierung Ausfalls, und der Schale der Elektrode zu verhindern wegen der Wasserstoffwärmebehandlung, die nach Anordnung der oberen Elektrode (104) durchgeführt wird, und die langfristige Zuverlässigkeit zu verbessern.
