Novel heterojunction bipolar transistors (HBT's) with high current gain and
extremely low offset voltage are disclosed. Owing to the insertion of
spacer/.delta.-doped sheet/spacer at base-emitter (B-E) heterojunction in
this invention, the potential spike at B-E junction can be eliminated and
the confinement effect for holes are enhanced. The potential spike is not
observed under large B-E bias, and the offset voltage is still relatively
small with small increase. In particular, for the HBT's with large
conduction band discontinuity, the method of the invention is more
efficient for completely eliminating the potential spike. For the example
of InP/GaInAs HBT, a maximum common-emitter current gain of 455 and above
320 at I.sub.B =5 .mu.A, and a low offset voltage less 60 mV are achieved.
Los transistores bipolares del heterojunction de la novela (HBT) con alto aumento actual y voltaje extremadamente bajo compensado se divulgan. Debido a la inserción de spacer/.delta.-doped sheet/spacer en el heterojunction del emisor de base (ESTÉ) en esta invención, el punto potencial en ESTÁ ensambladura puede ser eliminado y el efecto del confinamiento para los agujeros se realza. El punto potencial no se observa debajo de grande ESTÁ diagonal, y el voltaje compensado sigue siendo relativamente pequeño con aumento pequeño. En detalle, para el HBT con discontinuidad grande de la venda de conducción, el método de la invención es más eficiente para totalmente eliminar el punto potencial. Por el ejemplo de InP/GaInAs HBT, un aumento actual del comu'n-emisor máximo de 455 y sobre 320 en I.sub.B = el mu.A 5, y un voltaje compensado bajo menos 60 mV se alcanzan.
