A method of forming a poly-poly capacitor, a MOS transistor, and a bipolar
transistor simultaneously on a substrate comprising the steps of
depositing and patterning a first layer of polysilicon on the substrate to
form a first plate electrode of said capacitor and on an electrode of the
MOS transistor, and depositing and patterning a second layer of
polysilicon on the substrate to form a second plate electrode of said
capacitor and an electrode of the bipolar transistor.
Une méthode de former un poly-poly condensateur, un transistor de MOS, et un transistor bipolaire simultanément sur un substrat comportant les étapes de déposer et de modeler une première couche de polysilicon sur le substrat pour former une première électrode de plat de ledit condensateur et sur une électrode du transistor de MOS, et de déposer et de modeler une deuxième couche de polysilicon sur le substrat pour former une deuxième électrode de plat de ledit condensateur et une électrode du transistor bipolaire.
