A patterned SOI/SON composite structure and methods of forming the same are
provided. In the SOI/SON composite structure, the patterned SOI/SON
structures are sandwiched between a Si over-layer and a semiconductor
substrate. The method of forming the patterned SOI/SON composite structure
includes shared processing steps wherein the SOI and SON structure are
formed together. The present invention also provides a method of forming a
composite structure which includes buried conductive/SON structures as
well as a method of forming a composite structure including only buried
void planes.
Μια διαμορφωμένη σύνθετες δομή SOI/GJWN και οι μέθοδοι το ίδιο πράγμα παρέχονται. Στη σύνθετη δομή SOI/GJWN, το διαμορφωμένες SOI/oj δομές ΓΙΩΝ στριμώχνεται μεταξύ ενός πέρα από-στρώματος Si και ενός υποστρώματος ημιαγωγών. Η μέθοδος τη διαμορφωμένη σύνθετη δομή SOI/GJWN περιλαμβάνει τα κοινά βήματα επεξεργασίας όπου η δομή SOI και ΓΙΩΝ διαμορφώνεται από κοινού. Η παρούσα εφεύρεση παρέχει επίσης μια μέθοδο μια σύνθετη δομή που περιλαμβάνει τις θαμμένες αγώγιμες/δομές ΓΙΩΝ καθώς επίσης και μια μέθοδος μια σύνθετη δομή συμπεριλαμβανομένων μόνο των θαμμένων κενών αεροπλάνων.
