A method and system for separating impurities, such as large abrasive
particles and foreign matter from an abrasive polishing slurry prior to a
Chemical Mechanical Polishing (CMP) procedure performed on a surface of a
semiconductor wafer. Impurities greater than about 25 microns are removed
by an initial filtration process. The filtrate is then introduced to a
solid bowl, sedimentation-type centrifuge to remove particles greater than
0.5 microns thereby providing a polishing slurry for final utilization in
a CMP procedure that reduces damage to the surface of the polished
semiconductor wafer.
Une méthode et un système pour séparer des impuretés, telles que de grandes particules abrasives et corps étrangers d'une boue de polissage abrasive avant un procédé (CMP) de polissage mécanique chimique exécuté sur une surface d'une gaufrette de semi-conducteur. Microns plus grands que d'impuretés des environ 25 sont enlevés par un premier procédé de filtration. Le filtrat est alors présenté dans une cuvette pleine, sédimentation-type centrifugeuse pour enlever micron plus grands que de particules le 0.5 fournissant de ce fait une boue de polissage pour l'utilisation finale d'un procédé de CMP qui réduit des dommages à la surface de la gaufrette de semi-conducteur polie.
