A method of correcting a magnification of a mask pattern formed on a mask
substrate. The method includes applying forces to four pressurizing points
of an outer periphery of an approximately ring-shaped frame, which
supports the mask substrate and has a rectangular window, on substantially
extended lines of two diagonal lines of the rectangular window, and
adjusting at least an angle, to the extended lines, of a vector of the
forces applied to each of the pressurizing points.
Метод исправлять увеличение картины маски сформировал на субстрате маски. Метод вклюает придавать усилия до 4 надувая пункта наружной периферии приблизительно рымовидной рамки, которая поддерживает субстрат маски и имеет прямоугольное окно, на существенн выдвинутых линиях 2 раскосных линий прямоугольного окна, и регулировать по крайней мере угол, к выдвинутым линиям, вектора усилий приложенных к каждому из надувая пунктов.
