An alignment mark structure for use upon a semiconductor substrate is
disclosed. In an exemplary embodiment, the alignment mark structure
includes a plurality of segments arranged in an alignment pattern, with
each of the plurality of segments being formed from a base pattern created
on the substrate. The base pattern includes a plurality of sizes, wherein
each of the plurality of sizes of the base pattern is repeated throughout
an entire length of each of the plurality of segments.
Una struttura del contrassegno di allineamento per uso su un substrato a semiconduttore è rilevata. In un incorporamento esemplare, la struttura del contrassegno di allineamento include una pluralità di segmenti organizzati in un modello di allineamento, con ciascuna della pluralità di segmenti che sono formati da un modello basso generato sul substrato. Il modello basso include una pluralità di formati, in cui ciascuna della pluralità di formati del modello basso è ripetuta durante un'intera lunghezza di ciascuna della pluralità di segmenti.
