In the manufacturing process of a Bi-CMOS semiconductor device, which
includes a CMOSFET and a bipolar transistor, the steps for forming a well
region, source regions, and drain regions of the CMOSFET are also used for
forming the bipolar transistor. One of the steps is used for introducing
impurities of the same conductivity type in a surface of a base region of
the bipolar transistor in order to form a high impurity concentration
region in the surface. The high impurity concentration region is formed
such that the distance between an emitter region of the bipolar transistor
and the high impurity concentration region becomes 1 to 2 .mu.m. The shift
in device characteristics of the bipolar transistor is improved by the
high impurity concentration region even if the impurity concentration is
relatively low at the surface of the base region of the bipolar
transistor.
Nel processo di manufacturing di un dispositivo a semiconduttore di Bi-CMOS, che include un CMOSFET e un transistore bipolare, i punti per formare una regione buona, le regioni di fonte e le regioni dello scolo del CMOSFET inoltre sono usati per formare il transistore bipolare. Uno dei punti è usato per introdurre le impurità della stessa conducibilità scrive dentro una superficie a macchina di una regione bassa del transistore bipolare per formare un'alta regione di concentrazione di impurità nella superficie. L'alta regione di concentrazione di impurità è formata tali che la distanza fra una regione dell'emettitore del transistore bipolare e l'alta regione di concentrazione di impurità si transforma in mu.m in 1 - in 2. La variazione nelle caratteristiche del dispositivo del transistore bipolare è migliorata dall'alta regione di concentrazione di impurità anche se la concentrazione di impurità è relativamente bassa alla superficie della regione bassa del transistore bipolare.
