In accordance with an embodiment of the present invention, a MOSFET
includes at least two insulation-filled trench regions laterally spaced in
a first semiconductor region to form a drift region therebetween, and at
least one resistive element located along an outer periphery of each of
the two insulation-filled trench regions. A ratio of a width of each of
the insulation-filled trench regions to a width of the drift region is
adjusted so that an output capacitance of the MOSFET is minimized.
Σύμφωνα με μια ενσωμάτωση της παρούσας εφεύρεσης, mosfet περιλαμβάνει τουλάχιστον δύο μόνωση-γεμισμένες περιοχές τάφρων που χωρίζονται κατά διαστήματα πλευρικά σε μια πρώτη περιοχή ημιαγωγών για να διαμορφώσουν μια περιοχή κλίσης, και τουλάχιστον ένα ανθεκτικό στοιχείο που βρίσκεται κατά μήκος μιας εξωτερικής περιφέρειας κάθε μια από τις δύο μόνωση-γεμισμένες περιοχές τάφρων. Μια αναλογία ενός πλάτους κάθε μια από τις μόνωση-γεμισμένες περιοχές τάφρων σε ένα πλάτος της περιοχής κλίσης ρυθμίζεται έτσι ώστε μια ικανότητα παραγωγής mosfet ελαχιστοποιείται.
