Process for fabricating a SONOS flash memory device, including in one
embodiment, forming a bottom oxide layer of an ONO structure on a
semiconductor substrate, wherein the bottom oxide layer has a first oxygen
vacancy content; treating the bottom oxide layer to decrease the first
oxygen vacancy content to a second oxygen vacancy content; and depositing
a dielectric charge-storage layer on the bottom oxide layer. In another
embodiment, a process for fabricating a SONOS flash memory device includes
forming a bottom oxide layer of an ONO structure on the semiconductor
substrate under strongly oxidizing conditions, wherein the bottom oxide
layer has a super-stoichiometric oxygen content and an oxygen vacancy
content reduced relative to a bottom oxide layer formed by a conventional
process; and depositing a dielectric charge-storage layer on the bottom
oxide layer.
Διαδικασία για μια συσκευή μνήμης λάμψης SONOS, που περιλαμβάνει σε μια ενσωμάτωση, που διαμορφώνει ένα στρώμα κατώτατων οξειδίων μιας δομής ONO σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, όπου το στρώμα κατώτατων οξειδίων έχει ένα πρώτο περιεχόμενο κενού οξυγόνου μεταχείρηση του στρώματος κατώτατων οξειδίων για να μειώσει το πρώτο περιεχόμενο κενού οξυγόνου σε ένα δεύτερο περιεχόμενο κενού οξυγόνου και καταθέτοντας ένα διηλεκτρικό στρώμα δαπάνη-αποθήκευσης στο στρώμα κατώτατων οξειδίων. Σε μια άλλη ενσωμάτωση, μια διαδικασία για μια συσκευή μνήμης λάμψης SONOS περιλαμβάνει τη διαμόρφωση ενός στρώματος κατώτατων οξειδίων μιας δομής ONO στο υπόστρωμα ημιαγωγών υπό τους έντονα οξειδωτικούς όρους, όπου το στρώμα κατώτατων οξειδίων μειώνει μια έξοχος-στοιχειομετρική περιεκτικότητα σε οξυγόνο και ένα περιεχόμενο κενού οξυγόνου σχετικά με ένα στρώμα κατώτατων οξειδίων που διαμορφώνεται με μια συμβατική διαδικασία και καταθέτοντας ένα διηλεκτρικό στρώμα δαπάνη-αποθήκευσης στο στρώμα κατώτατων οξειδίων.
