Structures and methods for write once read only memory employing charge
trapping in insulators are provided. The write once read only memory cell
includes a metal oxide semiconductor field effect transistor having a
first source/drain region, a second source/drain region, a channel region
between the first and the second source/drain regions, and a gate
separated from the channel region by a gate insulator. A plug couples the
first source/drain region to an array plate. A bitline is coupled to the
second source/drain region. The MOSFET can be programmed by operation in a
reverse direction trapping charge in the gate insulator adjacent to the
first source/drain region such that the programmed MOSFET operates at
reduced drain source current when read in a forward direction.
Le strutture ed i metodi per scrivono soltanto la memoria una volta colta che impiega l'intrappolamento della carica in isolanti sono forniti. La cellula di memoria colta una volta di scrittura soltanto include un transistore di effetto del giacimento a semiconduttore dell'ossido di metallo che ha una prima regione di source/drain, una seconda regione di source/drain, una regione della scanalatura fra la prima e le seconde regioni di source/drain e un cancello separato dalla regione della scanalatura da un isolante del cancello. Una spina accoppia la prima regione di source/drain ad una piastra di allineamento. Un bitline è accoppiato alla seconda regione di source/drain. Il MOSFET può essere programmato tramite il funzionamento in una carica dell'intrappolamento di senso d'inversione nell'isolante del cancello adiacente alla prima regione di source/drain tali che il MOSFET programmato funziona alla corrente ridotta di fonte dello scolo una volta indicato dentro un senso di andata.
