To provide a chemical amplification type positive photoresist composition
suited to resist patterning of a substrate presenting surface step
differences, a method for manufacturing the semiconductor device employing
this composition, and a semiconductor substrate. In a method for
manufacturing a semiconductor device, a resist film is formed using a
chemical amplification type positive photoresist composition, comprised of
a base resin and a basic compound added to the base resin at a rate of 1
to 100 mmol to 100 g of the base resin, on a substrate halving surface
step differences and into which the organic removing solution is deposited
or oozed, and a predetermined area of the resist film is exposed to light
to form a resist pattern.
Para fornecer um amplification químico datilografe a composição positiva do photoresist servida para resistir modelar de uma carcaça que apresenta as diferenças de superfície da etapa, um método para manufaturar o dispositivo de semicondutor que emprega esta composição, e uma carcaça do semicondutor. Em um método para manufaturar um dispositivo de semicondutor, uma película resistir é dada forma usando um tipo químico composição positiva do amplification do photoresist, compreendida de uma resina baixa e de um composto básico adicionados à resina baixa em uma taxa do mmol 1 a 100 a 100 g da resina baixa, em uma carcaça que halving as diferenças de superfície da etapa e em quais a solução removendo orgânica é depositada ou oozed, e uma área predeterminada da película resistir é exposta à luz para dar forma a um teste padrão resistir.
