A magnetic memory includes a magnetoresistance effect element having a
magnetic recording layer, a first wiring extending in a first direction on
or below the magnetoresistance effect element, a covering layer provided
on at least both sides of the first wiring, and a writing circuit
configured to pass a current through the first wiring in order to record
information in the magnetic recording layer by a magnetic field generated
by the current. The covering layer is made of magnetic material and has a
uniaxial anisotropy in the first direction, along which a magnetization of
the covering layer occurs.
Магнитная память вклюает элемент влияния magnetoresistance имея магнитный слой записи, первую проводку удлинить в первом направлении на или под элементе влияния magnetoresistance, слой заволакивания быть обеспеченным на по крайней мере обеих сторонах первой проводки, и цепь сочинительства быть установленным для пропускания течения через первый информации о записях проводки в магнитном слое записи магнитным полем произведенным течением. Слой заволакивания сделан магнитного материала и имеет одноосную неизотропность в первом направлении, вдоль которого замагничивание слоя заволакивания происходит.
