Heterojunction organic semiconductor field effect transistor (FET) with a gate insulation layer and manufacturing process thereof

   
   

A organic semiconductor field effect transistor that can work in the depletion mode or super-inverse mode, comprising: a substrate (1), a gate electrode (2) formed on the substrate (1), a gate insulation layer (3) formed on the substrate (1) and the gate electrode (2), a first semiconductor layer (4) formed on the gate insulation layer (3), a source electrode and a drain electrode (5) formed on the first semiconductor layer (4), and a second semiconductor layer (6) formed on the first semiconductor layer (4) and the source/drain electrodes (5).

Μια οργανική κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων ημιαγωγών που μπορεί να λειτουργήσει στον τρόπο μείωσης ή τον τρόπο έξοχος-αντιστρόφου, περιλαμβάνοντας: ένα υπόστρωμα (1), ένα ηλεκτρόδιο πυλών (2) διαμόρφωσε στο υπόστρωμα (1), ένα στρώμα μόνωσης πυλών (3) που διαμορφώθηκαν στο υπόστρωμα (1) και το ηλεκτρόδιο πυλών (2), ένα πρώτο στρώμα ημιαγωγών (4) που διαμορφώθηκαν στο στρώμα μόνωσης πυλών (3), ένα ηλεκτρόδιο πηγής και ένα ηλεκτρόδιο αγωγών (5) που διαμορφώθηκαν στο πρώτο στρώμα ημιαγωγών (4), και ένα δεύτερο στρώμα ημιαγωγών (6) που διαμορφώθηκε στο πρώτο στρώμα ημιαγωγών (4) και τα ηλεκτρόδια πηγής/αγωγών (5).

 
Web www.patentalert.com

< High pressure discharge lamp and method for producing the same

< Organic light-emitting devices

> Thin film transistor, display device and their production

> Semiconductor display device

~ 00139