A organic semiconductor field effect transistor that can work in the
depletion mode or super-inverse mode, comprising: a substrate (1), a gate
electrode (2) formed on the substrate (1), a gate insulation layer (3)
formed on the substrate (1) and the gate electrode (2), a first
semiconductor layer (4) formed on the gate insulation layer (3), a source
electrode and a drain electrode (5) formed on the first semiconductor
layer (4), and a second semiconductor layer (6) formed on the first
semiconductor layer (4) and the source/drain electrodes (5).
Μια οργανική κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων ημιαγωγών που μπορεί να λειτουργήσει στον τρόπο μείωσης ή τον τρόπο έξοχος-αντιστρόφου, περιλαμβάνοντας: ένα υπόστρωμα (1), ένα ηλεκτρόδιο πυλών (2) διαμόρφωσε στο υπόστρωμα (1), ένα στρώμα μόνωσης πυλών (3) που διαμορφώθηκαν στο υπόστρωμα (1) και το ηλεκτρόδιο πυλών (2), ένα πρώτο στρώμα ημιαγωγών (4) που διαμορφώθηκαν στο στρώμα μόνωσης πυλών (3), ένα ηλεκτρόδιο πηγής και ένα ηλεκτρόδιο αγωγών (5) που διαμορφώθηκαν στο πρώτο στρώμα ημιαγωγών (4), και ένα δεύτερο στρώμα ημιαγωγών (6) που διαμορφώθηκε στο πρώτο στρώμα ημιαγωγών (4) και τα ηλεκτρόδια πηγής/αγωγών (5).