A solid state electronic device consists of a bottom electrode (10) and a
top electrode (20) with a dielectric layer (30) sandwiched in between. In
one example, the dielectric layer is aluminum oxide. Microscopic voids or
pinholes (40) in the aluminum oxide layer are filled with an electrically
nonconductive material (50) to prevent current leakage between the two
electrodes, and the addition of the electrically nonconductive material
increases the performance of the device. The electrically nonconductive
material can be p-nitroaniline, polyvinyl phenol, epoxy, polyurethane,
polyacrylate, polyvinyl alcohol, titanium dioxide, barium titanate, oxides
of aluminum, and oxides of silicon.
Un dispositif électronique à semi-conducteurs se compose d'une électrode de sole (10) et d'une électrode supérieure (20) avec une couche diélectrique (30) serrée dans l'intervalle. Dans un exemple, la couche diélectrique est l'oxyde d'aluminium. Des vides ou les trous d'épingle microscopiques (40) dans la couche d'oxyde d'aluminium sont remplis de matériel électriquement non-conducteur (50) pour empêcher la fuite courante entre les deux électrodes, et l'addition du matériel électriquement non-conducteur augmente l'exécution du dispositif. Le matériel électriquement non-conducteur peut être p-nitroaniline, phénol, époxyde polyvinyliques, polyuréthane, polyacrylate, bioxyde d'alcool et titanique polyvinylique, titanate de baryum, oxydes d'aluminium, et oxydes de silicium.
