A semiconductor device having a composite dielectric layer, including a
semiconductor substrate, alternating sub-layers including a first
dielectric material and a second dielectric material on the semiconductor
substrate, the sub-layers forming a composite dielectric layer having at
least two sub-layers of at least one of the first dielectric material and
the second dielectric material, in which one of the first dielectric
material and the second dielectric material is a high-K dielectric
material and an other of the first dielectric material and the second
dielectric material is a standard-K dielectric material comprising
aluminum oxide; and the composite dielectric layer includes a reaction
product of the high-K dielectric material and the standard-K dielectric
material. In one embodiment, the composite dielectric layer includes a
substantially uniform layer of the reaction product of the first
dielectric material and the second dielectric material.
Un dispositivo a semiconduttore che ha uno strato dielettrico composito, compreso un substrato a semiconduttore, i sub-layers alternati compreso un primo materiale dielettrico e un secondo materiale dielettrico sul substrato a semiconduttore, i sub-layers che formano uno strato dielettrico composito che ha almeno due sub-layers almeno di uno del primo materiale dielettrico e del secondo materiale dielettrico, in cui uno del primo materiale dielettrico e del secondo materiale dielettrico è un alto-K materiale dielettrico e un altro del primo materiale dielettrico e del secondo materiale dielettrico è un materiale dielettrico standard-K che contiene l'ossido di alluminio; e lo strato dielettrico composito include un prodotto di reazione di alto-K materiale dielettrico e del materiale dielettrico standard-K. In un incorporamento, lo strato dielettrico composito include sostanzialmente uno strato dell'uniforme del prodotto di reazione del primo materiale dielettrico e del secondo materiale dielettrico.
