A test reticle having a pad and antenna structures with varying critical
dimensions is provided to measure sidewall angles developing in the resist
sidewalls of clear lines. These sidewall angles originate from resist flow
due to the occurrence of excessively high temperatures in a resist process
on a lithographic track after the exposure of a semiconductor wafer. A
scanning electron microscope is used to perform the measurement. A
sequence of temperatures is applied in each postbake step to process a
wafer, and the sidewall angle is determined afterwards from e.g. a
critical dimension measurement with a known resist thickness. An error
signal is issued, if a threshold value of a sidewall angle is exceeded.
The temperature of the resist process, e.g. the postbake, is then adjusted
to a temperature below the temperature causing the warning signal.
Перекрещение испытания имея пусковую площадку и структуры антенны с менять критически размеры снабжено углы стенки измерения превращаясь в стенках сопротивлять ясных линий. Эти углы стенки возникают от сопротивляют подаче должной к возникновению чрезмерно высоких температур в процессе сопротивлять на литографском следе после выдержки вафли полупроводника. Микроскоп электрона скеннирования использован для того чтобы выполнить измерение. Последовательность температур приложена в каждом шаге postbake для того чтобы обрабатывать вафлю, а угол стенки обусловлен потом от например критически измерения размера при знанное сопротивляет толщине. Сигнал ошибок выдан, если превышен порогового значение угла стенки. Температура процесса сопротивлять, например postbake, после этого отрегулирована к температуре под температурой причиняя signala оповещения.
